第三代半導(dǎo)體基金有諾安成長(zhǎng)混合，代碼為320007；銀河創(chuàng)新成長(zhǎng)混合，代碼為519674；諾安和鑫靈活配置混合，代碼為002560；長(zhǎng)城久嘉創(chuàng)新成長(zhǎng)混合，代碼為004666；金鷹策略配置混合，代碼為210008。相對(duì)于傳統(tǒng)的硅材料，第三代半導(dǎo)體更適合制造耐高溫、耐高壓、耐大電流的高頻大功率器件。
第三代半導(dǎo)體簡(jiǎn)介
1、第三代半導(dǎo)體材料包括了以碳化硅SiC、氮化鎵GaN為代表的寬禁帶化合物半導(dǎo)體。第一二代半導(dǎo)體材料工藝已經(jīng)逐漸接近物理極限，在微電子 領(lǐng)域的摩爾定律開(kāi)始逐步失效，而第三代半導(dǎo)體是可以超越摩爾定律的。
2、相比于第一代及第二代半導(dǎo)體材料，第三代半導(dǎo)體材料在高溫、高耐壓以 及承受大電流等多個(gè)方面具備明顯的優(yōu)勢(shì)，因而更適合于制作高溫、高頻、抗 輻射及大功率器件。
3、在器件的性能對(duì)比上，GaN材料以及SiC 材料在通態(tài)電阻以及擊穿電壓方 面都具備較大的優(yōu)勢(shì)。
4、第三代半導(dǎo)體材料應(yīng)用可以分為微電子以及光電子領(lǐng)域，具體可以細(xì)分為 電力電子器件、微波射頻、可見(jiàn)光通信、太陽(yáng)能、半導(dǎo)體照明、紫外光存儲(chǔ)、 激光顯示以及紫外探測(cè)器等領(lǐng)域，有望突破傳統(tǒng)半導(dǎo)體技術(shù)的瓶頸，與第一代、 第二代半導(dǎo)體技術(shù)互補(bǔ)，對(duì)節(jié)能減排、產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)型升級(jí)、催生新的經(jīng)濟(jì)增長(zhǎng)點(diǎn)將發(fā)揮重要作用。
